Terahertz-iturriak beti izan dira THz erradiazioen alorreko teknologiarik garrantzitsuenetako bat. THz erradiazioa lortzeko modu asko funtzionalak frogatu dira. Normalean, telelektronika eta fotonika teknologiak.Fotonikaren arloan, koefiziente ez-lineal handietan oinarritutako koefiziente ez-lineal handietan oinarritutako diferentzia-maiztasun optiko ez-lineala, THz uhina funtzionatzen duen potentzia handiko, sintonizagarria, eramangarria eta giro-tenperaturan jarduteko moduetako bat da.GaSe eta ZnGeP2(ZGP) kristal ez-linealak gehienetan aplikatzen dira.
Milimetro eta THz uhinean xurgapen baxua duten GaSe kristalak, kaltetutako atalase altua eta bigarren koefiziente ez gezurra altua (d22 = 54 pm/V), normalean Terahertz uhina prozesatzeko erabiltzen dira 40 μm-tan eta uhin-banda luzeko Thz uhin sintonizagarria (40 μm-tik haratago).2,60 -39,07μm-ko THz uhin sintonizagarria frogatu zen 11,19°-23,86°-ko angeluarekin bat datorrenean [eoo (e - o = o)], eta 2,60 -36,68 μm-ko irteeran 12,19°-27,01°-ko angeluarekin bat datorrenean (eoe). - o = e)].Gainera, 42,39-5663,67μm-ko THz uhin sintonizagarria lortu da 1,13°-84,71°-ko pareko angelua [oee (o - e = e)] denean.
ZnGeP2 (ZGP) koefiziente ez-lineal handiko kristalak, eroankortasun termiko handikoa, kaltetutako atalase optiko handiko kristalak ere ikertu dira THz iturri bikain gisa.ZnGeP2-k ere bigarren koefiziente ez-lineala du d36 = 75 pm/V-n, hau da, KDP kristalen 160 aldiz.ZGP kristalen bi fase bat datozen angeluak (1,03°-10,34°[oee (oe = e)] eta 1,04°-10,39°[oeo (oe= e)]) antzeko THz irteera prozesatzen dute (43,01 -5663,67μm), oeo mota aukera hobea zela frogatu zen koefiziente ez-lineal eraginkorragoa delako.Oso denbora luzean, ZnGeP2 kristalen irteera-proforma mugatua izan zen Terahertz iturri gisa, beste hornitzaile batzuen ZnGeP2 kristalak xurgapen handia duelako infragorri hurbileko eskualdean (1-2μm): Xurgapen koefizientea > 0,7cm-1 @1μm eta > 0,06. cm-1@2μm.Hala ere, DIEN TECH-ek ZGP (eredua: YS-ZGP) kristalak eskaintzen ditu xurgapen oso baxuarekin: xurgapen koefizientea <0,35cm-1@1μm eta <0,02cm-1@2μm.YS-ZGP kristal aurreratuei esker, erabiltzaileek irteera askoz hobea lortzeko aukera dute.
Erreferentzia:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Chin.Fisikoak.Soc.
