GaSe kristalak
GaSe kristal bat erabiliz, irteerako uhin-luzera 58,2 µm-tik 3540 µm arteko tartean sintonizatu zen (172 cm-1-tik 2,82 cm-1-ra) gailurreko potentzia 209 W-ra iritsi zen. THz honen irteerako potentzia nabarmen hobetu zen. 209 W-tik 389 W-ra bitarteko iturria.
ZnGeP2 kristalak
Bestalde, ZnGeP2 kristal batean DFG-n oinarrituta, irteerako uhin-luzera 83,1-1642 µm eta 80,2-1416 µm arteko tarteetan sintonizatu zen, bi fase bat datozen konfigurazioetarako, hurrenez hurren. Irteerako potentzia 134 W-era iritsi da.
GaP kristalak
GaP kristala erabiliz, irteerako uhin-luzera 71,1-2830 µm-ko tartean sintonizatu zen, eta gailur-potentzia handiena 15,6 W-koa zen. GaP GaSe eta ZnGeP2-ren gainean erabiltzearen abantaila nabaria da: kristalen biraketa ez da beharrezkoa uhin-luzera sintonizatzeko. , nahasketa-izpi baten uhin-luzera sintonizatu behar da 15,3 nm-ko banda-zabaleran.
Laburbilduz
Era berean, % 0,1eko bihurtze-eraginkortasuna mahai gaineko sistema baterako inoiz lortu den altuena da ponpa-iturburu gisa komertzialki eskuragarri dagoen laser sistema bat erabiliz. GaSe THz iturriarekin lehiatu litekeen THz iturri bakarra elektroi askeko laser bat da, oso handia dena. eta potentzia elektriko handia kontsumitzen du.Gainera, THz iturri honen irteerako uhin-luzerak tarte oso zabaletan sintonizatu daitezke, kaskada kuantikoko laserrak ez bezala, bakoitzak uhin-luzera finko bat bakarrik sor dezake. Horregatik, THz iturri monokromatikoen bidez sintoniza daitezkeen zenbait aplikazio ez lirateke izango. litekeena da subpicosegundoko THz pultsuetan edo jauzi kuantikoko laserretan oinarritzen bada.
