Produktuak

Gas kristala

Galio seleniuroa (GaSe) kristal bakar optiko ez-lineala, koefiziente ez-lineal handia, kalte-atalase handia eta gardentasun-tarte zabala konbinatuz.Oso material egokia da SHGrako IR erdialdean.
ZGP(ZnGeP2) Kristalak

ZGP kristalak koefiziente ez-lineal handiak (d36=75pm/V), infragorrien gardentasun-tarte zabala (0,75-12μm), eroankortasun termiko handia (0,35W/(cm·K)), laser kaltearen atalase handia (2-5J/cm2) eta ondo mekanizatzeko propietatea, ZnGeP2 kristala kristal optiko infragorri ez-linealen erregea deitzen zen eta oraindik ere maiztasun bihurtzeko material onena da potentzia handiko laser infragorri sintonizagarrirako.Kalitate optiko handiko eta diametro handiko ZGP kristalak eskain ditzakegu α < 0,05 cm-1 xurgapen koefiziente oso baxuarekin (2,0-2,1 µm ponpa-uhin-luzeretan), infragorri erdiko laser sintonizagarria sortzeko erabil daitezkeenak eraginkortasun handiko OPO edo OPA bidez. prozesuak.
AGSe(AgGaSe2) Kristalak

AGSeAgGaSe2 kristalek 0,73 eta 18 µm-ko banda-ertzak dituzte.Bere transmisio-barruti erabilgarriak (0,9-16 µm) eta fase bat etortzeko gaitasun zabalak potentzial bikaina eskaintzen du OPO aplikazioetarako hainbat laserrekin ponpatzen direnean.2,5-12 µm arteko sintonizazioa lortu da Ho:YLF laser bidez 2,05 µm-ra ponpatzen denean;baita fase ez-kritikoan (NCPM) funtzionamendua 1,9-5,5 µm artean 1,4-1,55 µm-ra ponpatzen denean.AgGaSe2 (AgGaSe2) CO2 laser infragorrien erradiaziorako frekuentzia bikoizteko kristal eraginkorra dela frogatu da.
AGS(AgGaS2) kristalak

AGS gardena da 0,50 eta 13,2 µm artean.Bere koefiziente optiko ez-lineala aipatutako kristal infragorrien artean baxuena den arren, 550 nm-ko uhin-luzera laburreko gardentasun-ertz altuak erabiltzen dira Nd:YAG laser bidez ponpatutako OPOetan;3-12 µm-ko tartea estaltzen duten diodoekin, Ti:Sapphire, Nd:YAG eta IR koloratzaileen laserrekin diferentzia-maiztasuna nahasteko esperimentu askotan;infragorri zuzeneko kontraneurri sistemetan, eta CO2 laserren SHGrako.AgGaS2 (AGS) kristalezko plaka meheak ezagunak dira pultsu ultralaburrak sortzeko IR erdialdean, NIR uhin-luzerako pultsuak erabiliz, maiztasun diferentziaren sorkuntzaren bidez.
BGSe(BaGa4Se7) Kristalak

BGSe (BaGa4Se7) kalitate handiko kristalak BaGa4S7 kalkogenuro konposatuaren seleniuroaren analogoa da, bere egitura ortorrombiko azentrikoa 1983an identifikatu zen eta IR NLO efektua 2009an jakinarazi zen, garatu berri den IR NLO kristala da.Bridgman–Stockbarger teknikaren bidez lortu zen.Kristal honek 0,47-18 μm-ko tarte zabalean transmitantzia handia erakusten du, 15 μm inguruko xurgapen-gailurra izan ezik.
BGGSe(BaGa2GeSe6) Kristalak

BaGa2GeSe6 kristalak kalte optikoen atalase handia du (110 MW/cm2), gardentasun espektral zabala (0,5 eta 18 μm) eta ez-linealtasun handia (d11 = 66 ± 15 pm/V), eta horrek kristal hau oso erakargarria egiten du. laser erradiazioaren maiztasuna IR erdiko tartean (edo barruan) bihurtzea.