Hemen, atenuazio-galeren efektua eta Nd:YAG zeramika gardenen laserren errendimendua hobetzea ikertu zen.0,6 at.% Nd:YAG 3 mm-ko diametroa eta 65 mm-ko luzera duen zeramikazko haga bat erabiliz,sakabanaketa-koefizientea eta 1064 nm-ko xurgapen-koefizientea 0,0001 cm-1 eta 0,0017 cm-1 zirela neurtu ziren, hurrenez hurren.808 nm-ko albo-punpatutako laser esperimenturako, 44,9 W-ko batez besteko irteerako potentzia lortu zen 26,4% optiko-optiko bihurtze-eraginkortasunarekin, hau da, kristal bakarreko %1 at.-arekin ia berdina zen.885 nm-ko zuzeneko ponpatze-eskema onartuz, honako laser proba hauek % 62,5eko eraginkortasun optiko altua eta 144,8 W-ko irteera-potentzia maximoa lortu zuten 231,5 W-ko ponpa-potentzia xurgatuta. Nd:YAG zeramikazko laserra dakigunez.Frogatzen du potentzia handiko eta eraginkortasun handiko laser irteera kalitate optiko handiko Nd:YAG zeramikazko hagaxkarekin batera 885 nm zuzeneko ponpaketa teknologiarekin batera.
Artikulu honek 6,45 µm-ko pultsu-energia handiko, lerro-zabalera estua, erdi-infragorria (MIR) laserra aurkezten du, 1.064 µm-ko laser bidez ponpatutako BaGa4Se7 (BGSe) kristalezko osziladore parametriko optiko batean (OPO) oinarrituta.6,45 µm-ko pultsu-energia maximoa 1,23 mJ-koa izan zen, 24,3 ns-ko pultsu-zabalera eta 10 Hz-eko errepikapen-abiadurarekin, % 2,1eko bihurketa optiko-optikoko efizientziari dagokiona, ponpa-argitik 1,064 µm-tik 6,45 µm-ko argi geldiara.Argiaren lerro zabalera 6,8 nm ingurukoa zen. Bitartean, 1,064 µm-ko laser bidez ponpatutako BGSe kristalean OPO fase-egoeraren egoera zehaztasunez kalkulatu dugu, eta zenbakizko simulazio-sistema bat egin da sarrera-irteera ezaugarriak 6,45 µm-tan aztertzeko, baita Kristalaren luzerak bihurtze-eraginkortasunean duen eragina.Neurketaren eta simulazioaren artean adostasun ona aurkitu zen.Dakigunez, hau da 6,45 µm-ko pultsu-energiarik handiena, egoera solido osoko MIR ns laser edozein BGSe-OPOn 1,064 µm-ko osziladore soil batek ponpatuta.6,45 µm-ko OPO sistema sinple eta trinko honek, pultsu energia handiko eta lerro-zabalera estuarekin, ehunak mozteko baldintzak bete ditzake eta ehunen ablazioaren zehaztasuna hobetu dezake.
Artikulu honetan, Q-switched laserretan pultsuen iraupenaren irabaziaren menpekotasuna kentzen duen Ho:YAG barrunbean isurtutako laser elektro-optikoa (LGS) frogatzen dugu.7,2 ns-ko pultsu konstanteko iraupena lortu zen 100 kHz-ko errepikapen-abiaduran.LGS kristala aprobetxatzeak ez du alderantzizko eraztun piezoelektriko efektu nabarmenik eta termikoki eragindako despolarizazioa, pultsu-tren egonkorra lortu zen 43 W-ko irteerako potentziarekin. IR) ZnGeP2 (ZGP) osziladore parametriko optikoa (OPO) gauzatu da, errepikapen-tasa handiak eta nanosegundoko pultsu-denbora laburrak lortzeko modu fidagarria eskainiz potentzia handiko infragorri erdiko ZGP OPOetarako.Irteerako batez besteko potentzia 15 W-koa zen, 4,9 ns-ko pultsuaren iraupenari eta 100 kHz-eko errepikapen-tasa bati dagokiona.
Lehen aldiz frogatzen dugu infragorri erdiko zortzidunen sorrera BGSe kristal ez-lineal bat erabiliz.2,4 µm-ko uhin-luzera zentralean 28-fs-ko pultsuak ematen dituen Cr:ZnS laser sistema erabiltzen da ponpa-iturburu gisa, BGSe kristalaren barruko pultsu-diferentziaren maiztasun-sorkuntza bultzatzen duena.Ondorioz, 6 eta 18 µm bitarteko infragorri erdiko banda zabaleko continuum koherentea lortu da.BGSe kristala banda zabaleko eta ziklo gutxiko infragorrien sorkuntzarako material itxaropentsua dela erakusten du, maiztasun beheranzko bihurketaren bidez femtosegundoko ponpa iturriekin.
1,53 W egoera solido osoko nanosegundoko pultsatuko laser erdi-infragorria 6,45 µm-tan
